6月20日，比亞迪半導體宣布推出全新1200V 1040A SiC功率模塊，據介紹，該功率模塊克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。

據了解，此次比亞迪推出的全新功率模塊采用了雙面燒結工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接，相比傳統焊接工藝模塊，新工藝連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性可提升5倍以上。該功率模塊芯片上表面采用燒結工藝，因燒結層具有高耐溫特性，SiC模塊工作結溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統工藝的4倍以上。可見，SiC模塊功率的提升，也意味著工作效率大大增加，從而能打造更優質的新能源汽車平臺。

隨著電動汽車等產業的發展，功率器件的需求增長迅速。以SiC為基礎的新一代功率器件有著體積小、耐壓大、頻率快等優點，近幾年在新能源汽車領域獲得了廣泛關注。Yole預測，在汽車市場的強力推動下，2027年SiC器件市場將從 2021年的10億美元增長到60億美元以上，對于高功率的SiC功率模塊的需求也將與日俱增。

業內專家表示，在寬禁帶半導體技術中，目前碳化硅晶體的成熟度較高，因此碳化硅器件可采用同質外延路線，并覆蓋目前市場上的全部電壓，可以超越硅器件目前6500V的水平，達到上萬伏，在汽車功率器件中，未來市場前景十分光明。根據測算，到2025年，新能源車領域用碳化硅襯底市場規模將達到102億元，需求量達304萬片。