征載流子的數(shù)量增大的影響較之遷移率減小的半導體電阻率變化的影響更為嚴重，導致內(nèi)量子效率下降，溫度升高又導致電阻率下降，使同樣IF下，VF降低。如果不用恒流源驅(qū)動LED，則VF降將促使IF指數(shù)式增加，這個過程將使LED PN 結(jié)上溫升更加快，最終溫升超過最大結(jié)溫，導致LED PN結(jié)失效，這是一個正反饋的惡性過程。 PN結(jié)上溫度升高，使半導體PN結(jié)中處于激發(fā)態(tài)的電子?空穴復(fù)合時從高能級向低能級躍遷時發(fā)射出光子的過程發(fā)生退化。這是由于PN結(jié)上溫度升高時，半導體晶格的振幅增大，使振動的能量也發(fā)生增加，當它超過一定值時，電子?空穴從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時回與晶格原子(或離子)交換能量，于是成為無光子輻射的躍遷，LED的光學性能退化。