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數控設備驅動器的主電路保護分析與研究

來源:萬方數據

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞:數控設備 數控系統 主電路

    0 引言

      數控系統中,電源模塊及電機驅動模塊是非常重要的工作部件,但同時這兩種模塊也是數控設備中很容易被損壞的。筆者所在的四川省德陽市是國家重大技術裝備制造業基地,聚集了近萬臺各種各樣的數控設備。長期的工作實踐發現這兩種模塊的故障主要出在主電路上,例如西門子的611系列模塊、FUNAC的ai系列等。由于這些模塊的主電路通常使用大功率的IGBT作為主控元件,所以對于模塊的保護,主要通過并保護IGBT實現。筆者借鑒多款國外主流產品提出一種相對更成熟的IGBT驅動和保護電路設計,在實際應用中達到更有效保護IGBT的作用,降低驅動器的損壞率,增強數控系統的可靠性。

    1 常見的lGBT模塊損壞原因

      分析表明,IGBT模塊損壞的主要原因有:
      1)負載短路引起短時間大電流,IGBT沒有及時關斷,溫度急劇上升,最終導致IGBT的C級和E級間短路失效或開路失效。

      2)lGBT的控制柵極受到大幅值干擾脈沖沖擊,造成柵極損壞。

      3)觸發信號上升沿和下降沿斜率較小,導致IGBT的開通和截止功耗增加,長時間運行,燒壞IGBT。

      4)惡劣工作環境降低IGBT散熱效果,模塊溫度增加,導致性能下降和損壞。

    2 IGBT驅動和保護電路的設計思路

      針對實際出現的問題,在IGBT驅動和保護電路設計中,主要考慮以下五個方面:
      1)針對負載短路引起大電流,最主要的解決方法是及時檢測到IGBT電流突然增大造成的VCE上升,進而迅速關斷IGBT。
      2)每個IGBT模塊使用獨立的控制電源,盡量減少IGBT模塊柵極信號的干擾。
      3)使用高速光耦和驅動芯片進行柵極信號處理,降低IGBT的開關損耗。
      4)逆變橋上下臂控制信號互鎖,防止直流短路。
      5)改進IGBT模塊溫度檢測、改善散熱處理。

    3 IGBT驅動和保護電路硬件設計

      1)驅動電路電源在IGBT的驅動中。為保證驅動控制電路的可靠性,采用如圖1所示的供電模式。

      通常在數控系統中,為保證各系統的同步性和協調性,一般都是用一個獨立的電源模塊向子模塊(比如:主軸模塊、伺服模塊、CPU模塊和顯示模塊)進行集中供電。但各功能模塊之間的控制電源又需要進行隔離,提高可靠性,為此采用脈沖電源的模式進行統一供電。原理是:由電源模塊產生一個頻率為20KHz,峰值為75V左右的脈沖電源,通過電纜連接到各模塊,各模塊使用如圖1所示的電路進行脈沖變壓器隔離降壓、整流、濾波和穩壓處理,產生IGBT驅動需要的+15V和-10V的電源。進行如此處理后,各模塊之間的電源實現了變壓器隔離,電路簡單可靠。

      2)IGBT橋式電路的互鎖保護電路結構

      在數控系統伺服器中,通常使用如圖2所示的三相橋式電路進行電源的逆變輸出。IGBT三相橋式電路中,在任意時刻在同一個橋臂的上下兩個IGBT不能同時開啟,否則將發生嚴重的直流短路敝障,損壞IGBT。

      為防止直流短路,可采用如圖3所示的互鎖電路進行同一橋臂的上下兩個IGBT控制(以圖2中Q1和Q2的控制為例)。在該電路中,光耦U1和U2的二極管端采用反向并聯,形成互鎖結構。在這種互鎖電路的控制下,Q1、Q2在任意狀態下都不能同時導通。

    3)IGBT過流和短路保護電路


      IGBT在飽和導通過程中,其IC集電極電流和VCE飽和壓降,有如圖4所示的相互關系(1GBT型號BsM50Gxl20DN2)。圖4中可以看出,當IC集電極電流增加后,VCE飽和壓降迅速上升。通過檢測VcE的數據,可以判斷IGBT是否處于過流和短路狀態(比如ST公司的SIE20034)。

      IGBT在導通過程中會承受幾個微秒以內的過電流,時間到后,如果IGBT仍然處于過電流狀態,就必需關斷IGBT,防止IGBT過電流損壞。以型號為BSM50GXl20DN2的IGBT實際測試結果如圖4所示。

      在圖5(a)中。向IGBT發送一個導通控制信號(波形1),觸發信號維持6us后IGBT的沒有飽和導通,IGBT的C級反饋仍然保持高平,此時觸發信號自動關閉(波形2)。

      在圖5(b)中,向IGBT發送導通控制信號,在很短的時間內(小于1us)IGBT實現飽和導通(信號1),IGBT的C級反饋變為低電乎,此時輸出的導通信號維持(信號2)。在IGBT運行中,當電流過大,IGBT飽和壓降大于3V左右時,C級反饋變為高電平,關斷截止信號,保證IGBT的安全。

    4 IGBT驅動信號的功率驅動,限位保護和仿真

      1)IGBT觸發信號的功率驅動和限位保護

      在圖6中,Q1、Q2、Q3、Q4構成兩級推挽驅動結構,保證信號的驅動能力。電容C5和二極管D7、D8、D9,電阻R6、R7構成驅動信號的正向限幅電路,當出現一個大于+15V的脈沖干擾信號時,電路通過R7和D7向電容C5充電,從而吸收改干擾信號。二極管D5、D17和電阻Rll構成反向限幅電路,當出現一個小于-10V的脈沖干擾信號時,電路通過R11和D17和D5進行限幅,吸收干擾信號,實現IGBT的柵級保護。同時由C6、RlO和R11構成電流反饋回路提升脈沖信號邊沿的斜率,降低開關功耗。

      2)電路仿真結果

      為檢驗和驗證電路的性能,利用仿真軟件進行電路仿真。在電路的Ql和Q2的基極施加一個正向30V和反向-15V的脈沖尖峰。仿真波形如下圖7所示,其中波形a是帶脈沖尖峰的輸入信號。波形d是經過電路處理的輸出到IGBT的柵極驅動電壓。從圖可以看出,電路達到消除脈沖尖峰的效果,同時保證了脈沖信號邊沿的陡峭程度。

    5 結束語

      筆者從近年來,在多型數控系統中已反復使用過此電路設計對原設備進行改進,經改進后的驅動器模塊的主電路故障明顯減少,系統穩定性得到了增強。


    (審核編輯: 智匯小新)

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